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MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH
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产品: 浏览次数:199MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH 
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有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-07-29 07:51
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详细信息

“MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH”参数说明

功能结构: 模拟集成电路 封装: SMD
制作工艺: 半导体集成电路 导电类型: 双极型
外形: 扁平型 集成度高低: 中规模集成电路
应用领域: 标准通用 型号: Mt29f16g08cbaba l72
规格: Mt29f16g08cbaca l72 商标: Micron
包装: 960/包 销售方式: 现货

“MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH”详细介绍

  特性联系工厂部分的可用性打开(ONFI)2.2-compliant1NAND闪存接口多层细胞(多层陶瓷)技术组织页面大小的混合体:4320字节(4096+24字节)块大小:256页(1024k+56k字节)飞机大小:2×1024块每架飞机设备大小:16gb:2048块同步I/O性能同步定时模式可长达5-时钟速度:10ns(DDR)(指/写吞吐量/销:20吨/s异步I/O性能异步时序模式可长达5基体/tWC:20ns(分钟)阵列的性能——阅读页面:75μs(MAX)项目页面:130μs(TYP)擦除块:3(TYP)女士工作电压范围vc:2.7--3.6v-VCCQ:1.7--1.95v,2.7--3.6v命令集:ONFINAND闪存的协议先进的命令集程序缓存(指缓存顺序(指缓存随机一次可编程(OTP)模式多面命令-Multi-LUN操作(指惟一的ID-Copyback第一块(块地址0h)从factory2ship-ped时是有效的重置(FFh)需要开机后第一个命令操作状态字节提供软件方法fordetecting:操作完成通过/失败条件写保护状态数据选通(DQ)信号提供一个硬件synchronousinterfaceDQ数据同步的方法在planefromCopyback操作支持读取数据工作温度:——商业:0摄氏度到+70摄氏度死的轮廓模具尺寸(步进距离):6.4380毫米x8.83905m债券垫位置和标识,看到债券PadLocations和识别(5页)一般的物理规格名义上的晶片厚度:790μm25±μm典型bond-pad金属厚度:17.7k典型的干舷钝化:4k氮氧化物over10.5k氧化硅烷金属化成分:3kPd超过10kNiover3k铜选项接口:——异步——同步标记MT29F16G08CBACAMT29F16G08CBECB形式:晶片3w测试:标准探测器C1 
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