“MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH”参数说明
功能结构: | 模拟集成电路 | 封装: | SMD |
制作工艺: | 半导体集成电路 | 导电类型: | 双极型 |
外形: | 扁平型 | 集成度高低: | 中规模集成电路 |
应用领域: | 标准通用 | 型号: | Mt29f16g08cbaba l72 |
规格: | Mt29f16g08cbaca l72 | 商标: | Micron |
包装: | 960/包 | 销售方式: | 现货 |
“MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH”详细介绍
特性联系工厂部分的可用性打开(ONFI)2.2-compliant1NAND闪存接口多层细胞(多层陶瓷)技术组织页面大小的混合体:4320字节(4096+24字节)块大小:256页(1024k+56k字节)飞机大小:2×1024块每架飞机设备大小:16gb:2048块同步I/O性能同步定时模式可长达5-时钟速度:10ns(DDR)(指/写吞吐量/销:20吨/s异步I/O性能异步时序模式可长达5基体/tWC:20ns(分钟)阵列的性能——阅读页面:75μs(MAX)项目页面:130μs(TYP)擦除块:3(TYP)女士工作电压范围vc:2.7--3.6v-VCCQ:1.7--1.95v,2.7--3.6v命令集:ONFINAND闪存的协议先进的命令集程序缓存(指缓存顺序(指缓存随机一次可编程(OTP)模式多面命令-Multi-LUN操作(指惟一的ID-Copyback第一块(块地址0h)从factory2ship-ped时是有效的重置(FFh)需要开机后第一个命令操作状态字节提供软件方法fordetecting:操作完成通过/失败条件写保护状态数据选通(DQ)信号提供一个硬件synchronousinterfaceDQ数据同步的方法在planefromCopyback操作支持读取数据工作温度:——商业:0摄氏度到+70摄氏度死的轮廓模具尺寸(步进距离):6.4380毫米x8.83905m债券垫位置和标识,看到债券PadLocations和识别(5页)一般的物理规格名义上的晶片厚度:790μm25±μm典型bond-pad金属厚度:17.7k典型的干舷钝化:4k氮氧化物over10.5k氧化硅烷金属化成分:3kPd超过10kNiover3k铜选项接口:——异步——同步标记MT29F16G08CBACAMT29F16G08CBECB形式:晶片3w测试:标准探测器C1